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                铁硅铝与间隙铁氧化比较

                日期:2018-11-16 标签:2013 来源:铂科

                铁硅铝和间隙铁氧体是两种常用的材质,在软饱和方面,间隙铁氧体必须在下降曲线的安全区进行设计。铁硅被设计在受控制的下降曲线范围中,这样就能⌒ 够提供好的容错特性,特别是在高功率时候。

                在磁通量比较方●面:假设特定的50%下降设计点,铁硅铝(Kool Mμ)的磁通量是间隙铁氧体的2倍以上, 这使磁芯的尺寸可缩小35%,设计时◥可以把磁芯的尺寸缩小30%35%。软饱和曲线使铁硅╳设计本身具有容错能力,而间隙铁氧体则没有。铁氧▓体磁能力随温度变化,而铁硅保持相对稳定。很多铁氧体供应商或者厂家会给出产品在25℃到100℃不同环境下材质的▅差异。由于铁硅铝的材质及结构和间隙铁氧体不同,随着温ζ度改变,变化不会很大。

                在边ζ 缘损耗方面:铁硅不会发生边缘损耗,而间隙铁氧体有很大的边缘损耗。铁芯的间隙部分随着温〓度的增加损耗会增加。铁硅铝(Kool Mμ)也有间隙,但是这是均匀的分布式间隙,因为这个「形式,在高功率的应用上☉会更好。

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